Программа сотрудничества сосредоточена на следующих задачах: проектирование, моделирование и создание трехмерных интегральных микросхем нового поколения CFET с использованием тонкопленочных кремниевых транзисторов; разработка передовых полупроводниковых материалов для транзисторов с высокой подвижностью электронов путем сочетания теоретического моделирования и экспериментальных исследований; исследования и разработка передовых полупроводниковых материалов для применения в интегрированных сенсорах и устройствах возобновляемой энергетики; проектирование безопасных ИИ SoC-чипов на основе многоядерного процессора RISC-V и ускорителя ИИ для устройств AI-IoT; исследования и создание материалов и силовых электронных компонентов на основе широкозонных полупроводников для микросхем управления энергопотреблением, используемых в высокопроизводительных силовых устройствах.
Выступая на мероприятии, директор NAFOSTED доцент, кандидат наук Дао Нгок Тьиен предложил исследовательским группам сосредоточить усилия на выполнении поставленных целей, соблюдении установленных сроков и cогласованных обязательств, поддержать регулярный и эффективный механизм взаимодействия с японскими партнерами, обеспечить научное качество, строго соблюдать принципы научной добросовестности, эффективно использовать выделенные финансовые ресурсы и нести ответственность за зарегистрированные продукты.
Помимо результатов исследований и международных публикаций в международных изданиях, NAFOSTED также ожидает, что эти задачи будут способствовать подготовке следующего поколения ученых, воспитанию аспирантов, инженеров и молодых талантов в сфере полупроводников.
Заместитель посла Японии во Вьетнаме Исикава Исаму подтвердил, что Япония продолжит оказывать поддержку вьетнамским исследовательским группам в процессе реализации задач, стремясь к расширению двустороннего научно-исследовательского сотрудничества в других областях стратегических технологий.